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MMBTA13LT1中文资料

MMBTA13LT1图片

MMBTA13LT1外观图

  • 大小：235.66KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)
  • 标准包装：10
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：300mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 100µA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：10000 @ 100mA，5V
  • 功率 - 最大：225mW
  • 频率 - 转换：125MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：剪切带 (CT)
  • 其它名称：MMBTA13LT1OSCT

MMBTA13LT1供应商

更新时间:2023-01-30 17:03:28
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